Эпитаксиальный рост тонких металлических пленок в условиях ионного облучения: (01.04.04): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ407472,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Быков, Ю. В.
Опубликовано: М. : Изд-во МГУ , 1981
Физические характеристики: 19 с. : граф.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr38255680000
005 20180723104943.0
021 # # $a RU  $b [81-7371а] 
100 # # $a 20071004d1981 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Эпитаксиальный рост тонких металлических пленок в условиях ионного облучения  $e (01.04.04)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a М.  $c Изд-во МГУ  $d 1981 
215 # # $a 19 с.  $c граф. 
300 # # $a В надзаг.: МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак. Библиогр.: с. 16-19 (22 назв.) 
686 # # $a 01.04.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Быков  $b Ю. В.  $g Юрий Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071004  $g psbo