Плотность состояний глубоких флуктуационных уровней и примесное поглощение света в легированных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бурбаева, Н. В. |
| Опубликовано: | М. : Изд-во Моск. ун-та , 1980 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||