Плотность состояний глубоких флуктуационных уровней и примесное поглощение света в легированных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ403496,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Бурбаева, Н. В.
Опубликовано: М. : Изд-во Моск. ун-та , 1980
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr38135430000
005 20071004153516.0
021 # # $a RU  $b [80-12554а] 
100 # # $a 20071004d1980 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Плотность состояний глубоких флуктуационных уровней и примесное поглощение света в легированных полупроводниках  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a М.  $c Изд-во Моск. ун-та  $d 1980 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a В надзаг.: МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак. 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Бурбаева  $b Н. В.  $g Нина Владимировна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071004  $g psbo