Эффекты переключения и памяти в симметричных структурах на основе широкозонных полупроводников с глубокими примесными уровнями: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бродовой, В. А. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1984 |
| Физические характеристики: |
36 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||