Эффекты переключения и памяти в симметричных структурах на основе широкозонных полупроводников с глубокими примесными уровнями: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бродовой, В. А. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1984 |
| Физические характеристики: |
36 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr37958080000 | ||
| 005 | 20070831122317.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070831d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a MD |
| 200 | 1 | # | $a Эффекты переключения и памяти в симметричных структурах на основе широкозонных полупроводников с глубокими примесными уровнями $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Кишинев $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 36 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН МССР, Ин-т приклад. физики. Библиогр.: с. 28-35 (65 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бродовой $b В. А. $g Владимир Антонович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070831 $g psbo |