Фотоэлектрические явления в структурах с барьером Шоттки на основе полупроводников A³B5: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Борковская, О. Ю. |
Опубликовано: | Киев , 1987 |
Физические характеристики: |
16 с.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr37803080000 | ||
005 | 20230126101414.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [87-13641а] |
100 | # | # | $a 20070831d1987 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Фотоэлектрические явления в структурах с барьером Шоттки на основе полупроводников A³B5 $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
210 | # | # | $a Киев $d 1987 |
215 | # | # | $a 16 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-16 (21 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Борковская $b О. Ю. $g Ольга Юрьевна |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070831 $g psbo |