Закономерности эволюции неупорядоченных полупроводников и технология элементов памяти на основе а-Si: H: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бодягин, Н. В. |
| Опубликовано: | М. , 1990 |
| Физические характеристики: |
28 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr37646390000 | ||
| 005 | 20070830184040.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070830d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Закономерности эволюции неупорядоченных полупроводников и технология элементов памяти на основе а-Si: H $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Моск. ин-т электрон. техники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 28 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 26-28 (15 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бодягин $b Н. В. $g Николай Викторович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070830 $g psbo |