Влияние электрического поля на экситонные состояния в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бенавидес, Л. Л. |
| Опубликовано: | Л. , 1979 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr37278640000 | ||
| 005 | 20070830150447.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [79-16509а] |
| 100 | # | # | $a 20070830d1979 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Влияние электрического поля на экситонные состояния в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1979 |
| 215 | # | # | $a 13 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бенавидес $b Л. Л. $g Леонард Лазаро Ригоберто |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070830 $g psbo |