Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния, полученной при низких (100-400ºС) температурах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 154827/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Белоусов, И. И.
Опубликовано: Новосибирск , 1991
Физические характеристики: 17, [1] с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr37210630000
005 20070830144023.0
021 # # $a RU  $b [92-1519а] 
100 # # $a 20070830d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния, полученной при низких (100-400ºС) температурах  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников 
210 # # $a Новосибирск  $d 1991 
215 # # $a 17, [1] с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-18 (18 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Белоусов  $b И. И.  $g Игорь Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070830  $g psbo