Неравновесные электронные процессы в монокристаллах GaSe и GaS, легированных переходными элементами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН АзССР Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Баширов, С. М. |
| Опубликовано: | Баку , 1987 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr37030070000 | ||
| 005 | 20070828161512.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070828d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Неравновесные электронные процессы в монокристаллах GaSe и GaS, легированных переходными элементами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН АзССР Ин-т физики |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23 (8 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Баширов $b С. М. $g Сейран Музаффар оглы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070828 $g psbo |