Неравновесные электронные процессы в слоях SiO₂ на кремнии, стимулированные электрическим полем: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / ЛГУ
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Барабан, А. П. |
Опубликовано: | Л. , 1990 |
Физические характеристики: |
32 с.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr36818400000 | ||
005 | 20241101142734.0 | ||
100 | # | # | $a 20070828d1990 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Неравновесные электронные процессы в слоях SiO₂ на кремнии, стимулированные электрическим полем $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f ЛГУ |
210 | # | # | $a Л. $d 1990 |
215 | # | # | $a 32 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 29-32 (33 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Барабан $b А. П. $g Александр Петрович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070828 $g psbo |