Особенности генерации-рекомбинации носителей тока в CdSe и других полупроводниках при больших уровнях возбуждения: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Балтрамеюнас, Р. А. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1973 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36790250000 | ||
| 005 | 20070828153612.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [73-21442а] |
| 100 | # | # | $a 20070828d1973 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Особенности генерации-рекомбинации носителей тока в CdSe и других полупроводниках при больших уровнях возбуждения $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1973 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 14-16 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Балтрамеюнас $b Р. А. $g Ремигиюс Антано |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070828 $g psbo |