Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-халькогенидное стекло (Te₄₈ As₃₀Si₁₂Ge₁₀)-металл: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Балдуев, А. И. |
| Опубликовано: | Томск , 1982 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36776460000 | ||
| 005 | 20070828143545.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070828d1982 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-халькогенидное стекло (Te₄₈ As₃₀Si₁₂Ge₁₀)-металл $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Томск $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Библиогр.: с. 20-22 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Балдуев $b А. И. $g Алексей Ильич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070828 $g psbo |