Теория резонансной фотоупругости кристаллов во внешних электрическом и магнитном полях: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Ин-т радиотехники и электрон.

Сохранено в:
Шифр документа: 50311/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Бадасян, Э. Г.
Опубликовано: Фрязино , 1987
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36647700000
005 20070827172507.0
021 # # $a RU  $b [87-6444а] 
100 # # $a 20070827d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Теория резонансной фотоупругости кристаллов во внешних электрическом и магнитном полях  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР. Ин-т радиотехники и электрон. 
210 # # $a Фрязино  $d 1987 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-17 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Бадасян  $b Э. Г.  $g Эдик Григорьевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070827  $g psbo