Исследование роста и легирования слоев GaAs и InGaAs в мос-гидридном процессе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бабушкина, Т. С. |
| Опубликовано: | Горький , 1989 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36619330000 | ||
| 005 | 20070827171119.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070827d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование роста и легирования слоев GaAs и InGaAs в мос-гидридном процессе $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского |
| 210 | # | # | $a Горький $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-18 (11 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бабушкина $b Т. С. $g Татьяна Спартаковна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070827 $g psbo |