Исследование глубоких примесных центров в GaAs:Cu с помощью фотолюминесценции: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ458432,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Аширов, Т. К.
Опубликовано: Л. , 1983
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36556130000
005 20070827165834.0
100 # # $a 20070827d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование глубоких примесных центров в GaAs:Cu с помощью фотолюминесценции  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1983 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 20 (5 назв.) 
675 # # $a 621.315.592 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Аширов  $b Т. К.  $g Турлыбек Кенжетаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070827  $g psbo