Создание и исследование новых полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов арсенид галлия-арсенид алюминия: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ293305,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ахмедов, Ф. А.
Опубликовано: Л. , 1975
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36529420000
005 20070827150828.0
021 # # $a RU  $b [76-1073а] 
100 # # $a 20070827d1975 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Создание и исследование новых полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов арсенид галлия-арсенид алюминия  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1975 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 19 (11 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ахмедов  $b Ф. А.  $g Фатхулла Абдуллаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070827  $g psbo