Исследование структуры сегнетоэлектрик-полупроводник с целью создания на ее основе управляемых тонкопленочных резисторов с памятью: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Афанасьев, В. П. |
| Опубликовано: | Л. , 1977 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36488480000 | ||
| 005 | 20070827150231.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [77-17969а] |
| 100 | # | # | $a 20070827d1977 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование структуры сегнетоэлектрик-полупроводник с целью создания на ее основе управляемых тонкопленочных резисторов с памятью $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В И. Ульянова (Ленина) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1977 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт. в конце текста (6 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Афанасьев $b В. П. $g Валентин Петрович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070827 $g psbo |