Гетероструктура ZnS-GaAs: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ241961,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Атакова, М. М.
Опубликовано: Томск , 1974
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36463730000
005 20070827145932.0
021 # # $a RU  $b [74-16432а] 
100 # # $a 20070827d1974 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Гетероструктура ZnS-GaAs  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева 
210 # # $a Томск  $d 1974 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 15 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Атакова  $b М. М.  $g Милидора Михайловна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070827  $g psbo