Схожие документы

• Получение гетеропереходов InAs{н.инд.}(1-x)Sb{н.инд.}(x)-Ga{н.инд.}(1-y)AlSb и исследование их электрических, фотоэлектрических и электролюминесцентных свойств: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10). - Баку, 1980. - 21 с.
  Автор: Мурсакулов, Н. Н.
  Опубликовано: (1980)
• Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.09.88: (01.04.10). - Л. : Казань, 1987. - 179 с.
  Автор: Салихов, Х. М.
  Опубликовано: (1987)
• Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН МССР, Ин-т прикл. физики. - Кишинев, 1988. - 18 с.
  Автор: Салихов, Х. М.
  Опубликовано: (1988)