Исследование электрических и фотоэлектрических свойств InP, InAs{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(1-x) и p-n переходов на их основе: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ349802,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Атабаев, Х.
Опубликовано: Ашхабад , 1979
Физические характеристики: 14 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36458790000
005 20070827145932.0
021 # # $a RU  $b [79-9507а] 
100 # # $a 20070827d1979 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a TM 
200 1 # $a Исследование электрических и фотоэлектрических свойств InP, InAs{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(1-x) и p-n переходов на их основе  $e (01.04.01)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Ашхабад  $d 1979 
215 # # $a 14 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т. Список работ авт.: с. 13-14 (8 назв.) 
686 # # $a 01.04.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Атабаев  $b Х.  $g Худайберды 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070827  $g psbo