Стимулированные внешними воздействиями электронные процессы в кристаллах (Ga2Se3){н.инд.}(1-x) (LnSe){н.инд.}(x): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН АзССР, Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Асланов, Г. К. |
| Опубликовано: | Баку , 1985 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36429480000 | ||
| 005 | 20211230102155.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070810d1985 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Стимулированные внешними воздействиями электронные процессы в кристаллах (Ga2Se3){н.инд.}(1-x) (LnSe){н.инд.}(x) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН АзССР, Ин-т физики |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 22-24 (15 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Асланов $b Г. К. $g Гюльага Кулам оглы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070810 $g psbo |