Особенности фотоэлектрического эффекта в полуизолируюшем GaAs (Cr): (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Аскеров, И. М. |
| Опубликовано: | Баку , 1988 |
| Физические характеристики: |
22 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36426020000 | ||
| 005 | 20070810182355.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [88-8779а] |
| 100 | # | # | $a 20070810d1988 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Особенности фотоэлектрического эффекта в полуизолируюшем GaAs (Cr) $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1988 |
| 215 | # | # | $a 22 с. $c граф. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 21-22 (6 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Аскеров $b И. М. $g Иса Мирза оглы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070810 $g psbo |