Влияние эффектов переизлучения на собственное и экситонное поглощение полупроводника
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Арутюнян, Г. М. |
| Опубликовано: | Ереван , 1978 |
| Физические характеристики: |
9 с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Препринт
ПЛРФ-78-09 |
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36378220000 | ||
| 005 | 20070810180753.0 | ||
| 010 | # | # | $d 5 к. |
| 100 | # | # | $a 20070810d1978 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AM |
| 200 | 1 | # | $a Влияние эффектов переизлучения на собственное и экситонное поглощение полупроводника |
| 210 | # | # | $a Ереван $d 1978 |
| 215 | # | # | $a 9 с. |
| 225 | 2 | # | $a Препринт $f Ереван. гос. ун-т $v ПЛРФ-78-09 |
| 345 | # | # | $9 150 экз. |
| 675 | # | # | $a 537.311.33:535 |
| 700 | # | 1 | $a Арутюнян $b Г. М. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070810 $g psbo |