|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr36378000000 |
| 005 |
20110728151225.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 3 р. 90 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [77-93202]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070810d1977 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a AM
|
| 200 |
1 |
# |
$a Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках
$f В. М. Арутюнян
$g АН АрмССР, Ин-т радиофизики и электроники
|
| 210 |
# |
# |
$a Ереван
$c Изд-во АН АрмССР
$d 1977
|
| 215 |
# |
# |
$a 324 с.: ил., 1 л. табл.
$d 26 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Список лит.: с. 305-322
|
| 345 |
# |
# |
$9 1100 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Физика
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322
|
| 700 |
# |
1 |
$a Арутюнян
$b В. М.
$g Владимир Михайлович
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070810
$g psbo
|
