Исследование влияния технологических факторов на напряжение пробоя интегрального транзистора и разработка методов выбора оптимальных параметров структуры: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Аронов, М. Д. |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
25 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||