Исследование влияния технологических факторов на напряжение пробоя интегрального транзистора и разработка методов выбора оптимальных параметров структуры: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ471314СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Аронов, М. Д.
Опубликовано: М. , 1983
Физические характеристики: 25 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36332240000
005 20070810175938.0
100 # # $a 20070810d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование влияния технологических факторов на напряжение пробоя интегрального транзистора и разработка методов выбора оптимальных параметров структуры  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.12.18) 
210 # # $a М.  $d 1983 
215 # # $a 25 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 24-25 (8 назв.). Для служеб. пользования 
675 # # $a 621.382.015.5:621.3.049.774.3.001.2 
686 # # $a 05.12.18  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Аронов  $b М. Д.  $g Михаил Давидович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070810  $g psbo