Фотоэлектрический эффект в варизонных Ga {н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As, Gа{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)P поверхностно-барьерных структурах и фотоприемники на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ458360,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Аннаева, А. Р.
Опубликовано: Ашхабад , 1983
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36191270000
005 20211122133122.0
100 # # $a 20070808d1983 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a TM 
200 1 # $a Фотоэлектрический эффект в варизонных Ga {н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As, Gа{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)P поверхностно-барьерных структурах и фотоприемники на их основе  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Ашхабад  $d 1983 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН Туркм. ССР, Физ.-техн. ин-т. Библиогр.: с. 23-24 (5 назв.) 
675 # # $a 621.315.592 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Аннаева  $b А. Р.  $g Алла Рухиевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070808  $g psbo