Исследование линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ457765,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Андрианов, А. В.
Опубликовано: Л. , 1982
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr36137770000
005 20070808160243.0
100 # # $a 20070808d1982 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1982 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.) 
675 # # $a 539.239:535.215.6001.5 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Андрианов  $b А. В.  $g Александр Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070808  $g psbo