Фоточувствительность и неустойчивость тока в компенсированных глубокими примесями кристаллах InP и их возможные практические применения: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Алюшина, В. И. |
| Wydane: | Кишинев , 1979 |
| Opis fizyczny: |
11 с.
|
| Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||