Фоточувствительность и неустойчивость тока в компенсированных глубокими примесями кристаллах InP и их возможные практические применения: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Алюшина, В. И. |
| Publicado: | Кишинев , 1979 |
| Descripción Física: |
11 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||