Количественная теория явлений фононного и электронного переноса в ионных кристаллах с дефектами и структурными фазовыми переходами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.07) / МГУ им. М. В. Ломоносова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Алтухов, В. И. |
| Опубликовано: | М. , 1991 |
| Физические характеристики: |
28 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35997160000 | ||
| 005 | 20070808152737.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070808d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Количественная теория явлений фононного и электронного переноса в ионных кристаллах с дефектами и структурными фазовыми переходами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f МГУ им. М. В. Ломоносова |
| 210 | # | # | $a М. $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 28 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 26-28 (26 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Алтухов $b В. И. $g Виктор Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070808 $g psbo |