Исследование излучательной рекомбинации и процессов прилипания в монокристаллах GaTe: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ212399,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Алиев, Т. И.
Опубликовано: Баку , 1973
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35958840000
005 20070808144133.0
021 # # $a RU  $b [73-17140а] 
100 # # $a 20070808d1973 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Исследование излучательной рекомбинации и процессов прилипания в монокристаллах GaTe  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН АзССР. Ин-т физики 
210 # # $a Баку  $d 1973 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 19-20 (20 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Алиев  $b Т. И.  $g Тельман Исмайыл оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070808  $g psbo