Исследование электрофизических и фотоэлектрических характеристик полевых транзисторов на основе π+-π-GaAs и p+-π-AlGaP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН ТССР, Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Алиев, В. С. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1989 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35949070000 | ||
| 005 | 20231027155647.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070808d1989 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a TM |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрофизических и фотоэлектрических характеристик полевых транзисторов на основе π+-π-GaAs и p+-π-AlGaP $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН ТССР, Физ.-техн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Ашхабад $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (8 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Алиев $b В. С. $g Валерий Султанович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070808 $g psbo |