Экситоны в слоистых полупроводниках TlInS2 и TlGaS2: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН АзССР, Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Алиев, А. А. |
| Опубликовано: | Баку , 1987 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35946830000 | ||
| 005 | 20230113121122.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [87-9140а] |
| 100 | # | # | $a 20070808d1987 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Экситоны в слоистых полупроводниках TlInS2 и TlGaS2 $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН АзССР, Ин-т физики |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20 (5 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Алиев $b А. А. $g Айдын Азиз оглы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070808 $g psbo |