Неомическая прыжковая проводимость в полупроводниках: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / Тбил. гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Аладашвили, Д. И. |
| Опубликовано: | Тбилиси , 1989 |
| Физические характеристики: |
26 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35821030000 | ||
| 005 | 20070808140612.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [89-8778а] |
| 100 | # | # | $a 20070808d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a GE |
| 200 | 1 | # | $a Неомическая прыжковая проводимость в полупроводниках $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $f Тбил. гос. ун-т |
| 210 | # | # | $a Тбилиси $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 26 с. $c граф. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 25-26 (16 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Аладашвили $b Д. И. $g Давид Иосифович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070808 $g psbo |