Исследование влияния упругих (пьезоэлектрических) напряжений и дефектов в кристаллах на интенсивность рассеяния рентгеновских лучей: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Ереван. гос. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ284150,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Авунджян, В. И.
Опубликовано: Ереван , 1975
Физические характеристики: 12 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35638540000
005 20070808124550.0
021 # # $a RU  $b [76-1188а] 
100 # # $a 20070808d1975 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AM 
200 1 # $a Исследование влияния упругих (пьезоэлектрических) напряжений и дефектов в кристаллах на интенсивность рассеяния рентгеновских лучей  $e (01.04.07)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f Ереван. гос. ун-т 
210 # # $a Ереван  $d 1975 
215 # # $a 12 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 12 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Авунджян  $b В. И.  $g Вазген Искяндарович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070808  $g psbo