Изменение свойств монокристаллов Si и Ge и приборов, изготовленных на их основе, под действием импульсов СВЧ поля: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.21) / Рос. АН, Ин-т обшей физики

Сохранено в:
Шифр документа: 178973/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Абдурахимов, Д. Е.
Опубликовано: М. , 1992
Физические характеристики: 11 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35521160000
005 20070807153426.0
100 # # $a 20070807d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Изменение свойств монокристаллов Si и Ge и приборов, изготовленных на их основе, под действием импульсов СВЧ поля  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.21)  $f Рос. АН, Ин-т обшей физики 
210 # # $a М.  $d 1992 
215 # # $a 11 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 11 (6 назв.) 
686 # # $a 01.04.21  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Абдурахимов  $b Д. Е.  $g Даврон Ерматович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo