|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr35494980000 |
| 005 |
20180709140425.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 14 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [87-92422]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070807d1987 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Моделирование высокодозной ионной имплантации
$f В. Г. Абдрашитов, В. В. Рыжов, И. Ю. Турчановский
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$d 1987
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препр.
$f АН СССР, Сиб. фил., Том. фил.
$v № 26
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 11 (14 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 120 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование ионное
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002
|
| 700 |
# |
1 |
$a Абдрашитов
$b В. Г.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070807
$g psbo
|
