Исследование миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в элементарных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Ершов, С. Н. |
Опубликовано: | Горький , 1978 |
Физические характеристики: |
16 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr35357250000 | ||
005 | 20070807144909.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [78-9596а] |
100 | # | # | $a 20070807d1978 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в элементарных полупроводниках $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского |
210 | # | # | $a Горький $d 1978 |
215 | # | # | $a 16 с. |
300 | # | # | $a Список работ авт. в конце текста (9 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Ершов $b С. Н. $g Сергей Николаевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |