Исследование миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в элементарных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ334627,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ершов, С. Н.
Опубликовано: Горький , 1978
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35357250000
005 20070807144909.0
021 # # $a RU  $b [78-9596а] 
100 # # $a 20070807d1978 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в элементарных полупроводниках  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского 
210 # # $a Горький  $d 1978 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Список работ авт. в конце текста (9 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ершов  $b С. Н.  $g Сергей Николаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo