Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / АН СССР, Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особочистых материалов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ерохин, Ю. Н. |
| Опубликовано: | М. , 1991 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||