Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / АН СССР, Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особочистых материалов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ерохин, Ю. Н. |
| Опубликовано: | М. , 1991 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35343230000 | ||
| 005 | 20070807144227.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070807d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (05.27.01) $f АН СССР, Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особочистых материалов |
| 210 | # | # | $a М. $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 14 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 13-14 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ерохин $b Ю. Н. $g Юрий Николаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |