Теория явлений переноса с учетом поля заряженных примесных центров в полупроводниках: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ережепов, М. |
| Опубликовано: | Киев , 1965 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35284770000 | ||
| 005 | 20070807143520.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [65-53881] |
| 100 | # | # | $a 20070807d1965 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Теория явлений переноса с учетом поля заряженных примесных центров в полупроводниках $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f АН УССР. Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1965 |
| 215 | # | # | $a 13 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр. в конце текста (11 назв.) |
| 700 | # | 1 | $a Ережепов $b М. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |