Оптический разогрев носителей заряда и ударная ионизация в полупроводниках под действием лазерного излучения дальнего ИК и субмиллиметрового диапазона: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 43197/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Емельянов, С. А.
Опубликовано: Л. , 1986
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35261140000
005 20070807143224.0
021 # # $a RU  $b [86-16261а] 
100 # # $a 20070807d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Оптический разогрев носителей заряда и ударная ионизация в полупроводниках под действием лазерного излучения дальнего ИК и субмиллиметрового диапазона  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1986 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-17 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Емельянов  $b С. А.  $g Сергей Александрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo