Фотолюминесценция InGaAsP/JnP ДГС с тонкими активными областями и особенности пороговых характеристик лазеров на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Евтихиев, В. П. |
| Опубликовано: | Л. , 1986 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35165130000 | ||
| 005 | 20070803181804.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [86-10124а] |
| 100 | # | # | $a 20070803d1986 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Фотолюминесценция InGaAsP/JnP ДГС с тонкими активными областями и особенности пороговых характеристик лазеров на их основе $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-18 (11 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Евтихиев $b В. П. $g Вадим Павлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070803 $g psbo |