Теоретическое исследование долговременных релаксаций проводимости в полупроводниках с межкристаллитными барьерами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Дощанов, К. М. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1981 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34924720000 | ||
| 005 | 20070802185631.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [81-3598а] |
| 100 | # | # | $a 20070802d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UZ |
| 200 | 1 | # | $a Теоретическое исследование долговременных релаксаций проводимости в полупроводниках с межкристаллитными барьерами $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Ташкент $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН УзССР, Физ.-техн. ин-т. Библиогр.: с. 19-21 (15 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Дощанов $b К. М. $g Куват Мухтарович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070802 $g psbo |