Разработка методики легирования кристаллов фосфида галлия акцепторными примесями в процессе бестигельной зонной плавки и исследование их электрофизических свойств: (05.17.16): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Хоржханд, С. |
Опубликовано: | Л. , 1974 |
Физические характеристики: |
12 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr34887770000 | ||
005 | 20070802152329.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [74-22088а] |
100 | # | # | $a 20070802d1974 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Разработка методики легирования кристаллов фосфида галлия акцепторными примесями в процессе бестигельной зонной плавки и исследование их электрофизических свойств $e (05.17.16) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) |
210 | # | # | $a Л. $d 1974 |
215 | # | # | $a 12 с. |
686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Хоржханд $b С. $g Санжмятавын |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070802 $g psbo |