Эффекты резонансного туннелирования и электроабсорбции в полупроводниковых гетероструктурах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Моск. физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Долманов, И. Н. |
Опубликовано: | М. , 1990 |
Физические характеристики: |
20 с. : ил.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr34857080000 | ||
005 | 20070802151804.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [90-24820а] |
100 | # | # | $a 20070802d1990 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Эффекты резонансного туннелирования и электроабсорбции в полупроводниковых гетероструктурах $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Моск. физ.-техн. ин-т |
210 | # | # | $a М. $d 1990 |
215 | # | # | $a 20 с. $c ил. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-20 (22 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Долманов $b И. Н. $g Игорь Николаевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070802 $g psbo |