Локальная плотность электронных состояний в алмазоподобных полупроводниках с дефектами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Дойчо, И. К. |
Опубликовано: | Одесса , 1982 |
Физические характеристики: |
16 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr34825270000 | ||
005 | 20211021093644.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [82-15999а] |
100 | # | # | $a 20070802d1982 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Локальная плотность электронных состояний в алмазоподобных полупроводниках с дефектами $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
210 | # | # | $a Одесса $d 1982 |
215 | # | # | $a 16 с. $c граф. |
300 | # | # | $a В надзаг.: Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова. Библиогр.: с. 15-16 (10 назв.) |
675 | # | # | $a 537.311.33:539.219.1 |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Дойчо $b И. К. $g Игорь Константинович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070802 $g psbo |