Локальная плотность электронных состояний в алмазоподобных полупроводниках с дефектами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ443381,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Дойчо, И. К.
Опубликовано: Одесса , 1982
Физические характеристики: 16 с. : граф.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34825270000
005 20211021093644.0
021 # # $a RU  $b [82-15999а] 
100 # # $a 20070802d1982 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Локальная плотность электронных состояний в алмазоподобных полупроводниках с дефектами  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Одесса  $d 1982 
215 # # $a 16 с.  $c граф. 
300 # # $a В надзаг.: Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова. Библиогр.: с. 15-16 (10 назв.) 
675 # # $a 537.311.33:539.219.1 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Дойчо  $b И. К.  $g Игорь Константинович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070802  $g psbo