Исследование фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных диодов из арсенида и фосфида галлия: (049): Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Дмитриев, М. В. |
| Опубликовано: | Одесса , 1972 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34753440000 | ||
| 005 | 20070802145506.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [72-11525а] |
| 100 | # | # | $a 20070802d1972 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных диодов из арсенида и фосфида галлия $e (049) $e Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова |
| 210 | # | # | $a Одесса $d 1972 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 19 (6 назв.) |
| 686 | # | # | $a 049 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Дмитриев $b М. В. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070802 $g psbo |